ti 芯片

　　动态姿态角是运动物体的姿态角。传感器各轴（X轴、Y轴和Z轴）的正交性是更地估算动态姿态角的一个重要因素，迄今为止，为了确保正交性，用户必须通过其他设备外部校准。
ti 芯片垂直表面贴装SM10系列压敏电阻能使电子设计人员实现符合‘仅限SMT元件原则’的初级侧电路浪涌保护。 该产品尺寸紧凑，能取代通孔器件，实现全自动和SMT PCB组装工艺。
　　选择正确的栅极驱动器对于实现功率转换效率非常重要。随着SiC 技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。

艾迈斯欧司朗推出这款侧发光创新产品，为汽车后照灯制造商带来了新的价值，即在降低成本的情况下实现卓越的光学性能。艾迈斯欧司朗的模拟显示，相比于等效顶发光设计，基于SYNIOSP1515的设计可以减少高达66％的LED单位数量和驱动器数量，同时保持超高水平的均匀光效。
　　针对电动汽车市场，纳微半导体基于1200V/34mΩ（型号：G3F34MT12K）的G3F FETs，打造了一款22kW、800V双向车载充电机（OBC）+ 3kW DC-DC转换器的应用，能够实现3.5kW/L的超高功率密度和95.5%的峰值效率。
ti 芯片　　在充分散热的情况下，连续漏极电流为 29A (70°C)，但在 25 x 25mm 方形 FR4 PCB 中，实际电流低于 10A。
　　4.5V 驱动器的总栅极电荷为 11nC，10V 驱动器的总栅极电荷为 23nC（40V 10A 漏极-源极）。
　　日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。
　　PI3USB31532Q 采用 40 管脚 W-QFN3060-40 封装，面积仅为 3mm x 6mm，凭借节省空间的优势实现设计灵活性与高性能。8.3GHz下带宽为-3dB ，10Gbps 下插入损耗、回波损耗和串扰分别低至 -1.7dB、-15dB 和 -38dB，这些特性确保信号高度完整性。

“美光 9550 SSD 标志着数据中心存储的重要飞跃，它提供了惊人的 330 万 IOPS，同时在 GNN 和 LLM 训练等 AI 工作负载中，比同类 SSD 功耗降低了高达 43%。这款产品将更高的性能与出色的能效相结合，为 AI 存储解决方案树立了新标杆，彰显了美光在引领 AI 革命方面的坚定承诺。”
ti 芯片　　VL53L9 的一系列功能提升了相机辅助性能，支持微距到长焦摄影。它支持激光自动对焦、散景以及 60fps（每秒帧数）静态和视频电影效果等功能。
　　在AI手机上，有许多关键组件，它们各自有特定的工作电压要求。例如，射频模块，负责无线通信的核心组件，设置在低于特定的工作电压下关闭，以确保其稳定性和效率。然而，随着技术的不断进步和电池性能的提升，业界对升压DC-DC芯片提出了更高的要求，使得系统能够在更低的电池电压下维持较高的系统电压，让这些关键组件处在工作状态。
　　全新u-blox R10模块为产品设计人员提供了4G蜂窝通信解决方案，适合需要中等数据传输速率、全球转移植能力、超低功耗和小型封装尺寸的物联网应用。