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　　系统层面，神行Plus电池在第三代无模组技术CTP3.0的基础上进行拓扑结构优化，充分利用能量仓空间，体积成组效率提升7%。凭借材料及结构的双重突破，神行电池系统能量密度首度突破200Wh/kg大关，达到205Wh/kg，让整车续航超过1000km成为可能。
xilinx alteraTMR4101磁栅传感器芯片与磁极距为0.4mm的多对极磁栅配套使用。当芯片沿着磁栅的长度方向移动时，其内置的两个推挽式TMR半桥结构分别输出相位差为90°的正弦和余弦信号，信号的周期与相邻的一对南北磁极的总长度0.8mm相对应。基于TMR技术优异的高灵敏度和低噪声特性，TMR4101的正弦和余弦输出信号可通过模拟前端调理电路和数字信号解算完成对微位移的精准测量，在典型应用场景中可达到微米级的重复定位精度。
这一全新的Rambus服务器 PMIC 芯片产品系列与 Rambus DDR5 RCD、SPD Hub 和温度传感器 IC 一起组成一个完整的内存接口芯片组，适用于各种DDR5 RDIMM 配置和用例。

相反地，电磁继电器在结构上是开放的，其内部组件暴露在外面。随着时间的推移，在高湿度或者空气污染物环境中可能会导致氧化问题，并严重影响低电平性能。与此同时，舌簧继电器易于长期保持其性能和可靠性，在耐久性和寿命至关重要的应用中成为。
　　新元件的主要性能特点包括：高纹波电流能力，可达7.01 A（120 Hz, +60 °C），在工作温度+105 °C条件下具有≥2000小时的使用寿命。客户可利用基于Web的AlCap工具快捷计算元件在特定应用条件下的使用寿命。
xilinx altera对于要求严苛的应用，ECD1000A 根据 MIL-STD-810H 标准进行了机械加固，产品设计可承受 20G 冲击，内部板和组件均采用保形涂层进行保护。” “该产品经过电气加固，可承受恶劣的瞬变，并符合 MIL-STD-461E CE102/RE102、MIL-STD 1399-300A 和 MIL-STD-810H 的 EMC 性能要求。
　　在新推出的四款产品中，SRK1004A 和 SRK1004B的栅极驱动电压为5.5V，可与逻辑电平 MOSFET 或 GaN 晶体管配合使用。栅极驱动电压9V的 SRK1004C 和SRK1004D 适用采用标准栅极驱动信号的MOSFET。
DDR5内存模块采用了新的芯片技术，可在目标功耗范围内提供更高水平的内存性能。Rambus是一家成熟的模组内存接口芯片量产供应商，能够随时为DDR5内存模组制造商提供关键的PMIC组件。

　　PI3WVR14412Q 符合汽车规格* – 符合 AEC-Q100 第 2 级标准，在 IATF 16949 的厂房中制造，并支持 PPAP 文件。宽广的工作环境温度范围 (-40°C 至 105°C)允许把该器件置于严酷的环境中或暴露在阳光直射下。
xilinx altera　　AVRH16A2C270KT200NA8压敏电阻旨在为CAN总线上的电子元器件提供支持，其具有二合一阵列结构，将两个压敏电阻的功能集成于单一元件中。此外，本产品采用了TDK自有设计技术，限度地减少了通道之间的电容差。尺寸为1608（1.6毫米（长） x 0.8毫米（款） x 0.6毫米（高））。
　　为解决这一问题，ROHM成功开发出一款新型热敏打印头——KR2002-Q06N5AA。这款打印头兼容单节锂离子电池（3.6V）驱动，不仅实现了高性能打印，还节能约30%。
　　MULTI-BEAM XLE 连接器采用三束端子，与原始的单束或四束矩形电源连接器设计相比，采用了更厚（更高）的导电材料。三束设计允许配接连接器之间存在更大的角度偏差，且配接力更低。