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为了确保测试系统未来的可扩展性，PXI/PXIe型号40/42-590和LXI型号65-290产品均拥有loop-thru拓展接口，其中矩阵规模大小可以通过使用符合标准的短电缆在机箱中互连相邻模块来扩展-PXI/PXI型号允许进行X轴扩展，而LXI型号允许进行X轴和Y轴扩展，可实现每个机箱高达 16×96 的矩阵大小，也可以通过简单的连接灵活扩展到其他机箱。同时每个PXI模块只占用一个机箱槽位。如此小的槽位占用是通过使用高密度同轴连接器来实现的，以此实现低漏电流驱动保护测量。
德州仪器ti 领先的测试和测量解决方案提供商泰克科技自豪地宣布推出 TAP1500L，这是一款配备七米电缆的开创性有源单端探头。TAP1500L 探头的推出彰显了泰克对率先开发探测技术的坚定承诺。该产品以 IsoVu? 探头的成功经验为基础，而后者使用光学隔离技术几乎能够完全消除共模干扰。
推出新系列适合直流支撑应用的爱普科斯 (EPCOS) 电力电容器。新 系列元件的设计工作温度达+105°C；订购代码为 B25695E；额定直流电压范围为 700 V 至 1300 V（温度 ≥+85 °C 时，电压须降额使用）；ESR 范围为 1.0 mΩ 至 2.7 mΩ；+70 °C 时的电流能力高达 110 A，具体视型号而 定（温度更高时，电流须降额使用）。不过，该系列薄膜电容器可反复承受 15.8 kA 的峰值电流，并且在额定 电压和+75 °C 条件下具有长达 100,000 小时的预期寿命。
针对工业面阵CMOS图像传感器在实际应用中环境光线条件复杂的问题，SC538HGS基于思特威先进的SmartGSTM-2 Plus技术，融合了Lightbox IR?近红外增强技术，实现了可见光与近红外光下的超高感度，有效提升了暗光、弱光等各类复杂光线条件下工业机器视觉检测的准确性与效率。
LTE Cat.1 bis模组MC610-GL搭载展锐8910平台，覆盖全球主流LTE频段，下行峰值速率达10.3Mbps，上行速率达5.1Mbps，满足全球终端对4G速率连接的需求；同时支持LTE和GSM双模通信，便于用户灵活切换网络。在尺寸封装上，MC610-GL采用24.2mm*26.2mm的LCC+LGA封装方式，Pin脚兼容广和通Cat.1模组MC665/MC615系列及Cat.M模组MA510系列，便于客户终端快速迭代。
德州仪器ti 这些商品是用于以 TWS 和智能手表为代表的要求超小型、高性能的可穿戴终端等的电源电路用扼流 圈 的 功 率 电 感 器 。“LSCND1006HKT2R2MF” 与 本 公 司 以 往 产 品 “LSCNB1608HKT2R2MD” （1.6×0.8×0.8mm）相比，体积减小了约 5 成，有助于设备的小型化等。
英特尔发布了一款功能强大的全新汽车行业独立 GPU。今天早些时候，该芯片制造商 在中国深圳举行的英特尔 AI 驾驶舱创新体验活动上展示了 Arc A760A 。英特尔汽车副总裁兼总经理 Jack Weast 在台上演示时声称，这款全新独立 GPU 可以“在车内提供与在家一样的 3A 游戏体验”。英特尔表示，搭载 GPU 的汽车早将于 2025 年上市。
第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
而向量处理器AndesCore NX27V具备512KB的数据缓存，能支持完整的RISC-V标准数据类型以及晶心为AI应用优化的延伸数据类型。NX27V包含高效能的纯量单元及一个乱序向量处理单元（VPU），其向量长度（VLEN）及数据信道宽度（DLEN）皆为 512 位，每个周期多能产生四个 512 位的运算结果。
德州仪器ti 144系列是Pickering额定功率高达80瓦产品中，尺寸的微型SIP舌簧继电器，结合了有效切换更高功率和特殊低电平性能的能力，是高功率和低电平开关的理想选择。非常适用于混合信号半导体测试机、光伏效率监控系统、新能源汽车和充电桩测试、采矿气体分析、医疗电子、在线测试设备和高压仪器仪表等。
CMS M系列的一个显著特点是其模块化设计，使其易于适应各种应用并易于维护。这些迷你真空发生器提供两种吸气容量选择（300 Nl/min和550 Nl/min），可选配真空和排气控制功能，还提供两种排气配置，以匹配各种特定需求。
这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V，达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。