stc8单片机
柏恩 Bourns 全球电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出的气体放电管 (GDT) 系列，符合 AEC-Q200 标准。Bourns 2027-A 系列 GDT 专为满足市场对可靠性、耐久性和法规标准的高需求而设计，特别是在一些极端环境应用中所需的先进功能。
stc8单片机SignalVu 引入示波器多通道分析功能后，通信工程师会发现，泰克是他们进行射频/无线信号分析的宝贵助手。尽管大多数领先的测试与测量竞争产品都提供多通道矢量信号分析仪 (VSA) 分析功能，但它们往往无法提供全面的跨域分析功能，缺乏简单直观的用户界面，或者成本过高。我们的 5.4 版提供先进、用户友好且经济高效的分析功能，直接解决了这些燃眉之急。SignalVu 5.4 版不仅解决了现有问题，而且竖立了信号分析工具的新标杆，对市场产生了重大影响。
这些模块具有 2k VDC/1 min 功能型隔离（对于 REC10K 系列，则为 1.6k VDC/1 min），符合 IEC/EN/UL62368-1 标准，降额时可在 -40°C 至 +105°C 的环境温度下工作（ REC10K 降额时的工作温度范围为 -40°C 至 100°C）。使用规格书中指定的外部滤波器，传导 EMC 可以符合“A 级和 B 级”水平。
SC038HGS采用思特威自主创新的SmartGS-2 Plus技术，基于全局快门(GS)技术和背照式像素结构(BSI)设计，带来更佳的量子效率(QE)和更高的满阱电子(FWC)，且采用High Density MIM(HD MIM)工艺，大幅降低了随机噪声，改善图像质量。
Supermicro在其产品设计与提供各种应用优化解决方案方面处于行业领先地位，而我们的全新X14系统采用即将推出的Intel Xeon 6处理器，将进一步扩展我们现有的广泛产品组合。通过我们每月5,000台机架的全球制造产能，其中包括1,350台100kW的液冷机架，交付周期短至 2 周，Supermicro在设计、构建、验证和为客户提供完全定制化、工作负载优化的机架级解决方案，包括目前先进的人工智能硬件的能力上，都达到了优异的程度。
stc8单片机 FemtoClock 3产品具有行业领先的超低的相位噪声和抖动，可满足112Gbps SerDes速率的需要，以及在48MHz至73MHz频率的无源晶振输入时，满足下一代224Gbps SerDes设计需求。本高集成度产品可具有多达四个时钟域，并提供具有出色信噪比（PSRR）的集成LDO（低压差稳压器），从而降低了电路板的复杂度与成本。
多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET—SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。
为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。
我们与铠侠保持着长期的合作关系，很高兴能将他们的第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC闪存产品整合到我们的全闪存存储解决方案中。Pure Storage的统一全闪存数据存储平台不仅能够满足人工智能的严苛要求，还能实现极具竞争力的备份存储成本。在铠侠技术的支持下，Pure Storage将继续提供卓越的性能、能效和可靠性，为客户创造超凡价值。
stc8单片机 HL8545/8545G 符合严格的 AEC-Q100 Grade 1汽车级标准，可在 -40°C 至 125°C 的极端温度下可靠运行，工作结温范围为 -40°C 至 150°C。这些器件具有 3.3V 和 5V 兼容控制逻辑，使其能够适用于各种汽车控制系统。强大的保护机制包括过载和短路保护、电感负载负电压钳位、欠压锁定保护、热关断/摆动保护以及过温保护时引脚可配置的锁断或自动重启模式。芯片采用 16 引脚 DFN 封装，确保与各种系统兼容。
搭载第 13 代 Intel Core 移动处理器的紧凑型边缘 AI 推理系统 AIR-150。尽管体积小巧（156 x 112 x 60 mm），但它却拥有 Hailo-8 AI 加速器提供的 26 TOPS AI 计算能力。AIR-150在连接性方面毫不逊色，提供以应用为中心的 I/O，包括 COM、USB、LAN 和 M.2 E-Key，便于无缝扩展和连接外围设备。
该 NTC 传感器结构坚固耐用，不含铅和卤素，尺寸为 10 x 3 x 3 mm（长 x 宽 x 高），在 25 °C 时， B57850T0103F000 型的标称电阻为 10,000 Ω，容差为 1%，而 B57850T0103G000 型的容差为 2%。 连接电极由 磷青铜制成，可以通过活塞焊、激光焊、微电阻焊或 TIG 焊进行接触。