würth

　　器件采用版图对称布局、敏感线网衬底隔离、数模磁版图隔离环等技术，实现版图匹配的面积节约化。器件工作电压范围为1.7V至3.6V，待机功耗仅8uA，响应频率达200Hz。与国外3D霍尔效应位置传感器相比，在保持系统性能的同时，功耗降低，应用可配置模式，为电池供电或关注系统效率的轻负载模式中降低功耗。
würth　　万物电气化推动了碳化硅 （SiC）技术在交通、电网和重型汽车等中高压应用领域的广泛采用。为了帮助开发人员部署SiC解决方案并快速推进开发流程，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出采用Augmented Switching技术的3.3 kV XIFM 即插即用mSiC?栅极驱动器。该驱动器采用预配置模块设置，开箱即用，可显著缩短设计和评估时间。
通过自主研发以及与合作伙伴的联合研发，目前公司机器人研究院已形成一系列人形机器人用关键传感器套件，包括全固态激光雷达、超宽光谱相机、六维力传感器、结构光深度相机、dTof雷达模组、双目人脸识别模组、IMU、掌静脉+人脸识别模组等，适用于复杂多样的不同工业场景。

　　工业5.0注重智慧化、感测能力和高度自动化，代表着智慧工业领域的新一波革命，在这个背景下，工业自动化和物联网应用在多个领域对高精准、小型化传感器的需求不断增加。NuMicro M091系列32位高整合模拟微控制器，为提高模拟功能与数字控制的精准度，以小封装的尺寸整合了丰富的模拟周边，包含模拟数字转换器 (ADC) 以及数字模拟转换器 (DAC) 并且支持多达四组精密运算放大器 (OP Amp), 同时具有全方位的周边支持，成为光电、压力以及位置传感器领域的。
　　Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正（PFC）和后面的DC/DC转换器砖式电源。
würth　　相较于分立式设计，IHB架构可减少50%的元件数量和30%的PCB空间。新IC还能使逆变器进入睡眠模式，将驱动器功耗降至10mW以下。这意味着在规定的待机功耗限值下，可以为实现网络接入和监控等功能的电路负载提供更多宝贵的功率。
　　　Pixel 9 型号的后置摄像头条经过重新设计，位于设备背面的中央。其他设计细节包括磨砂玻璃背面和抛光金属侧面，谷歌表示新设备的耐用性是 Pixel 8 智能手机的两倍。Fold 的机身更薄，配有流体摩擦铰链，并在设备的一半上设置了矩形摄像头。
　　除了2000 V CoolSiC MOSFET之外，英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC?二极管：首先将于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引脚封装的 2000 V 二极管产品组合，随后将于 2024年第四季度推出采用 TO-247-2 封装的 2000 V CoolSiC?二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外，英飞凌还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。

推出多路复用器／解复用器（Mux/De-Mux）开关“TDS4A212MX”和“TDS4B212MX”多路复用器／解复用器（Mux/De-Mux）开关。该新产品可用作2输入1输出Mux开关和1输入2输出De-Mux开关，适用于PC、服务器设备、移动设备等的PCIe5.0、USB4和USB4Ver.2等高速差分信号应用。
würth这一趋势将拉动高I/O数量半导体器件和边缘端安全解决方案的市场需求。二是全球芯片设计工程师存在人才缺口，而FPGA的可编程特性决定了该类芯片能够在复杂系统的开发和验证中发挥作用，帮助企业通过开发效率的提升弥补人才数量的不足。三是工业市场产品的生命周期普遍在15年以上，该领域的芯片或系统设计企业在投产之前往往需要数年的系统研发周期，成本型FPGA有利于提升下游企业的投资回报率，因此在工业领域有着一定的应用潜力。
　　与传统产品相比，新款 ACT1210E-131-2P-TL00 滤波器将线间电容降低了约30%。在OPEN联盟共模扼流圈EMC测试规范中，该产品首开行业先河，以线间寄生电容达到了IV级水平。在100 kHz频率下的共模电感为130 H，额定电流达70 mA。
美光进一步缩小UFS 4.0的外形规格以实现更紧凑的 9mm x 13mm 托管型 NAND封装。尺寸更小巧的UFS 4.0为下一代折叠及超薄智能手机设计带来了更多可能性，制造商可利用节省出来的空间放置更大容量的电池。此外，新版UFS 4.0解决方案可将能效提升 25%[[3]]，使用户在运行 AI、AR、游戏和多媒体等耗电量高的应用时获得更长的续航时间。