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　　在新推出的四款产品中，SRK1004A 和 SRK1004B的栅极驱动电压为5.5V，可与逻辑电平 MOSFET 或 GaN 晶体管配合使用。栅极驱动电压9V的 SRK1004C 和SRK1004D 适用采用标准栅极驱动信号的MOSFET。
on安森美这些功能有助于在参考平面（即被测设备的输入端）提供所需的功率电平。其中第一个功能是用户校正功能（UCOR），可在测试方案频率响应已知且稳定的情况下进行补偿。然而，仍有一些未知因素，尤其是当测试方案包括额外的有源设备如放大器时，此时放大器的频率响应会随电平或温度的变化而变化。R&S SMB100B提供的第二个功能是闭环功率控制，通过合适的 R&S NRP 功率传感器在所需的参考平面上持续测量 DUT 的输入电平，再反馈给信号发生器以相应调整输出功率，从而补偿所有这些变化。有关此用例的更多详情，请参阅应用笔记1GP141。
　　日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。

除了具备优异的信噪比，SC1620CS的满阱电子(FWC)相对提升约17%，其动态范围相对提升约5dB，尤其在拍摄光线充足的场景时，能有效保留更多画面亮部和暗部区域信息，进而为智能手机带来层次感分明、明暗细节丰富的质感影像效果。
额定电压为2.5Vdc、工作温度可达105°C、温度特性为X6S※2的“GRM188C80E107M”和工作温度可达85°C、温度特性为X5R※3的“GRM188R60E107M”已经开始量产。此外，额定电压为4Vdc、工作温度可达85°C的产品※4计划于2025年开始量产。
on安森美　　 面向Windows的骁龙开发套件基于骁龙X Elite打造，是一款旨在支持Windows开发者充分利用骁龙支持的下一代AI PC功能的小型PC。
　　 它专为开发者打造，具有其所需的可配置性和可编程性，以便为许多即将推出的搭载骁龙X系列平台的笔记本电脑创建、调试和测试应用程序与体验。
　　PI3USB31532Q 采用 40 管脚 W-QFN3060-40 封装，面积仅为 3mm x 6mm，凭借节省空间的优势实现设计灵活性与高性能。8.3GHz下带宽为-3dB ，10Gbps 下插入损耗、回波损耗和串扰分别低至 -1.7dB、-15dB 和 -38dB，这些特性确保信号高度完整性。
。随着智能工厂（工业4.0）的兴起，业界对可靠的重载连接器 (HDC) 的需求越来越迫切，这类连接器能自动高效地为各种仓库自动化应用所使用的自动导引车 (AGV) 和自主移动机器人 (AMR) 充电。为此，TE Connectivity推出了其采用混合设计的HDC浮动式充电连接器。

M31 MIPI C/D-PHY Combo IP已在先进的台积电5纳米工艺上获得硅验证，并已开始3纳米生产知识产权开发。这些经过验证的 C-PHY 和 D-PHY IP 能够支持每通道高达 6.5G 的高速传输模式和极低功耗操作，使这些 IP 适合各种应用场景，例如高分辨率成像、显示 SoC、驾驶员辅助系统 (ADAS) 和车载信息娱乐系统。该IP设计允许用户根据自己的需要将其配置为D-PHY或C-PHY模式，通过共享部分电路设计进一步减少对芯片面积的需求和对I/O引脚的需求。
on安森美　　这些SiC二极管在高频下的性能尤为出色，低损耗和低电磁干扰(EMI)的操作特性使它们成为提高能源效率和可靠性的理想选择。其内部隔离封装(AIN)提供了出色的绝缘和导热性，结和外壳之间的低热阻确保了即使在高功率水平下也能保持稳定性。此外，正向电压(Vf)的正温度系数(Tc)特性有助于模块的并联使用，进一步增强了系统的灵活性和可靠性。
　　利用原生Windows on Snapdragon工具链，包括Visual Studio/VSCode和其他runtime、库和框架，骁龙开发套件使开发者能够快速将Windows应用程序适配并重新编译为原生适用于骁龙平台的版本，从而为PC消费者打造出色体验。面向Windows的骁龙开发套件配备了骁龙X Elite处理器的特别加速开发者版，以及一系列端口和外形设计，旨在兼容开发者的多显示器系统。
　　生活中的噪音来自方方面面，振动是声音的来源，声带的振动使得我们能够发出声音，而轮胎和地面的摩擦振动则产生了我们不希望听到的胎噪。特别是在新能源汽车中，没有发动机的轰鸣，胎噪成为了破坏静谧驾驶体验的主导因素，而这种由轮胎和地面接触产生的复杂低频随机噪音往往难以及时捕捉。低延时、高精度加速计的使用很好地解决了这个问题。