欧姆龙代理

　　伴随着英特尔至强6处理器家族首款产品的推出，英特尔正在加速构建基于英特尔至强6能效核处理器的生态系统，助力诸多垂直领域企业的数字化升级。未来，英特尔亦将继续以市场实际需求为导向，以领先的产品技术持续驱动生态创新，助力高能效数据中心的可持续发展，加速释放新质生产力。
欧姆龙代理　　连接器额定电流0.5A，额定电压50V，触点间距1mm，组合高度4.5mm。适用于-40℃~+125℃的严苛环境，满足工业设备的应用需求。产品插头与插座采用防呆结构，可防止误插。公母座两端设有铁耳装置，有效增加了连接器在PCB板的焊接强度，同时分散应力，确保振动冲击环境下连接器的保持力。 连接器还设有定位柱结构，可使连接器在PCB板上的定位安装更准确。
导通阻抗仅80mΩ。HL8518将业界的封装技术与希荻微自主研发的特殊工艺制程相结合，实现技术突破。通过引入业界的功率封装技术，大幅降低互连阻抗。希荻微在自主研发的特殊工艺制程基础上，基于多年工艺积累，实现技术突破。

　　随着包括汽车业在内的主要充电器制造商致力于实施Qi v2.0（Qi2）标准，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）发布了一款 Qi 2.0双板无线电源发射器参考设计。该Qi2参考设计采用单个dsPIC33数字信号控制器（DSC），可提供高效控制以优化性能。无线充电联盟（WPC）近发布了新版Qi2标准，其主要特点是引入了磁功率协议（MPP），支持发射器和接收器之间磁吸对准。DSC软件架构灵活，可通过一个控制器支持Qi 2.0的MPP和扩展功率协议（EPP）两种配置。
即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。
欧姆龙代理目前的趋势是把更多工作任务下沉到通常部署在物联网边缘的智能设备上，对这些设备提出了响应更快、能效更高的要求，我们的嵌入式 MPUs专为这种趋势设计。我们今天发布的STM32MP2新品扩展了性能轨迹，引入了我们强大的处理器引擎，现在更增添了边缘 AI加速器，并且得到STM32 生态系统的支持，从而加快产品开发周期。
　　安费诺的MicroSpace高压选择性负载线缆压接连接器是一项颠覆性的解决方案，设计独特，既符合LV214 Severity-2标准，又允许存在间距偏差和提供高压性能。本篇博文将深入解析这项非凡连接器系统所具有的卓越性能和优点，以及其广泛用途。
HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位，并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为人工智能（AI）解决方案赋能。

在 AI 的训练、调优及推理阶段，采用先进的内存技术，并同时确保高性能和高效率，对于支持不断增长的 AI 工作负载至关重要。我们致力于提供性能、低功耗的解决方案，并计划通过与美光的合作，在我们的 AI 产品组合中全面采用单块高密度 DRAM，帮助企业客户获得性能，应对各种工作负载。
欧姆龙代理　　所有产品均采用热增强封装倒装芯片技术，尺寸从 RPZ-0.5 的 2 x 2 x 2mm 到 RPZ-6.0 和 RPL-5.0 的 4 x 6 x 1.6 mm 不等。降额情况下，环境工作温度可达 125°C，效率高达 92%，具体取决于型号。
　　HAR 3920 凭借其双冗余设计脱颖而出，即两个独立的芯片堆叠在单一封装内，并电气连接到一侧引脚。这种堆叠式芯片结构通过占据相同的磁场位置来确保一致的输出信号特性。传感器利用霍尔技术测量垂直和水平磁场分量，并使用霍尔板阵列抑制外部杂散场。该传感器可测量磁铁 360°角度范围和线性运动。一块简单的两极磁铁就足以进行的旋转角度测量，理想情况下可放置在轴端配置中敏感区域的上方。传感器还支持杂散场稳健离轴测量。
　　SignalVu 5.4 版是在 2023 年 9 月发布的 5.3 版之后推出的。5.3 版增加了一些重要功能，例如测量多个信号之间的相位和幅度差异，支持用于测量更高频率的外部下变频器，以及同时分析多个雷达信号的脉冲特性。新软件版本还可以通过 MSO 自动进行相位噪声测量。