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　　与SPI版本一样，英飞凌新推出的并行接口F-RAM存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性，例如用原子态瞬时切换取代了EEPROM技术中的捕获电荷至程序位。F-RAM本身不受软错误、磁场或辐射效应影响，且无需软件来管理页面边界。其接近无限的耐用性（1013个写入周期）意味着不需要损耗均衡。
realtek semiconductor corp.　　Microchip负责无线解决方案事业部的副总裁Rishi Vasuki 表示：“在任何类型的产品中添加蓝牙功能时，选择越来越重要。开发人员需要各种选项，并能根据自身技能和应用需求在不同选项之间进行切换。
意法半导体6轴惯性测量单元 (IMU) ISM330BX 集成边缘 AI 处理器、传感器扩展模拟集线器和Qvar电荷变化检测器，并提供产品寿命保证，适用于设计高能效工业传感器和动作跟踪器。

　　新集成AI功能加速了深度学习处理速度。这类工作可以通过优化的英特尔AVX2和英特尔VNNI指令集实现。由于CPU和集显 (Intel Gen12 UHD GPU）都支持INT8深度学习计算，与前几代相比，图形处理速度明显加快，物体识别速度提升6倍。用户将从AI功能加速中受益，当与结合虚拟化相结合时，可以显著提高应用程序的效率和生产率。
　　提高生产力：对于运行典型企业工作负载（例如数据库）的类似配置的系统，与上一代 FlashSystem 5200 相比，IBM FlashSystem 5300 能够在 70/30/50 典型生产工作负载[1]上提升 45% 的吞吐量，在顺序工作负载上至少提高 50% 的带宽。
realtek semiconductor corp.　　TDK株式会社（TSE：6762）利用适用于汽车和工业应用场景的新型双芯片传感器 HAR 3920-2100*，进一步扩充了 Micronas 3D HAL 位置传感器系列。其设计旨在满足在存在干扰杂散场的情况下，对线性位置和角度位置进行高精度测量的需求。
作为 VCSEL+SPAD 激光雷达技术路线的先行者，识光形成了独有的从激光雷达系统视角定义并优化 SPAD-SoC 芯片架构的能力，确保了 SQ100 从客户需求出发，切实解决实际问题、完成商业落地。
　　如今，随着新一代Galaxy Z系列产品的惊艳亮相，三星再次展现了其在移动科技创新领域的领先地位。Galaxy Z系列不仅继承了三星在折叠屏技术上的深厚积累，更将实用性与灵活性完美结合，与AI技术深度融合，开创了一系列前所未有的移动体验，为Galaxy AI的发展翻开了崭新的一页。

M-LB-4000浪涌保护系统集成了多个功能——模块化、环路断开和信号线故障监控功能，可达到SIL 3级（基于IEC/EN 61508标准）。该设备可限制信号线上各种原因（如雷击或开关操作）引起的感应瞬态。双通道模块支持更高的设备可用性： 由于保护功能完全置于插入式保护模块中，因此更换时无需重新布线。
realtek semiconductor corp.　　纳微GeneSiC碳化硅产品基于专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，可在运行温度范围内能提供了全球的效率性能，G3F MOSFETs具备高速、运行温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。
微型逆变器、5G PSU、电视 PSU 和 SMPS通常采用对流冷却，Thin-TOLL 8×8封装用于这些应用时，可以更大程度地减少主板上电源装置所占的PCB面积。与此同时，TOLT还能控制设备的结温。
　　英飞凌抗辐射F-RAM存储器的目标应用包括传感器与仪器的数据存储、校准数据的数据记录、适用于数据加密的安全密钥存储，以及启动代码存储等。除外太空应用，这款存储器还适用于航空电子等应用的温度要求（-55°C 至 125°C）。