瑞昱芯片

　　新产品采用ROHM的高速负载响应技术“QuiCur”，对负载电流*3波动具有优异的响应特性。因此，即使在输入电压或负载电流波动时，也能实现应用产品所需的稳定工作（输出电压波动100mV以内：负载电流波动0mA500mA Tr/Tf=1μ秒）。
瑞昱芯片　　高压化应用的普及需满足各类严苛的安规要求。通过纳芯微自有的技术，NSI7258可在SOW12封装下实现业内领先的5.91mm副边爬电距离，同时原边副边爬电距离也达到8mm，满足国际电工委员会制定的IEC60649要求。此外，凭借纳芯微卓越的电容隔离技术，NSI7258的隔离耐压能力高达5kVrms，全面满足UL、CQC和VDE相关，可降低客户系统验证时间，加速产品上市。
　　稳压器驱动器的输入端子和内部控制电路是分开的，从而产生一个偏置引脚，用于连接内部误差放大器的电源电压、参考电压电路和N沟道驱动器的栅极控制电压。

KSC2轻触开关提供清晰的轻触反馈，使用户更容易知道输入已被记录。使用重新设计的KSC2系列产品会使产品更加可靠、易于使用且安全，终使终端用户受益。
　　R&S SMB100B本身直接输出的电平精度非常高。随着所需信号频率的增加，待测设备获得正确电平的难度也随之增加：R&S SMB100B 支持两项附加功能，用于补偿路径损耗以及由附加测试夹具、电缆或放大器所带成的信号变化。
瑞昱芯片业界首款-48 V宽输入电压数字热插拔控制器XDP700-002，扩展了其XDP数字功率保护控制器系列。这款控制器具有专为电信基础设施设计的可编程安全工作区域（SOA）控制功能，以及不超过±0.7%的超低电流报告误差，能提高系统故障检测和报告的准确性。此外，该产品还采用升压模式控制技术，可在非SOA系统中更安全地开启场效应晶体管（FET）。
　　通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)[2]工艺，新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺[3]，进一步压缩了封装厚度。
　　GD32E235系列MCU提供了包含LQFP48/32、QFN48/32/28、TSSOP20和LGA20在内的七种封装共22个型号选择，目前已经正式量产供货。针对于不同封装和管脚配置的一系列配套开发工具也已同步推出，包括GD32E235C-EVAL全功能评估板以及GD32E235K-START、GD32E235G-START、GD32E235F-START、GD32E235V-START等入门级学习套件，将为用户带来便捷的开发和调试体验。

　　STM32H7R和STM32H7S两款新微控制器具有强大的安全功能，能够满足物联网(IoT)应用对网络安全的要求。两款产品的共同安全功能包括防止物理攻击、存储器保护、在运行时保护应用程序的代码隔离保护功能，以及平台验证。
瑞昱芯片　　电动汽车（xEV）市场的扩大带来了电气化、零部件集成化、电子控制单元（ECU）小型化和低噪音电机等市场需求。为了满足此需求，新产品通过将微控制器集成到栅极驱动IC中，助力缩小ECU器件尺寸，并通过使用矢量控制使电机更安静。
　　日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
　　极低的输入失调电压 (Vio) 是高精度运算放大器 (运放) 的关键参数。在25°C时，TSZ151的 输入失调电压低于 7μV。在 -40°C 至 125°C 整个额定温度范围内，输入失调电压稳定在10μV以下。高稳定性有助于限度地减少定期重新校准次数，提高终端产品在整个生命周期内的可用性。