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与独立的板载传感器相比，S7TA的嵌入式传感器精度提高了 40%，响应时间加快了4倍。这些温度监测方面的进步实现了对多设备系统内部的单独监测，从而提高了可靠性并且防止可能导致系统故障的散热问题，对汽车应用而言非常重要。
ti　　Embedded+ 集成计算平台经过 AMD 验证，可助力 ODM 客户缩短和构建时间以便更快进入市场，而无需耗费额外的硬件和研发资源。采用 Embedded+ 架构的 ODM 集成支持使用通用软件平台开发低功耗、小尺寸规格及长生命周期的设计，适用于医疗、工业以及汽车应用。
　　四通道VNF9Q20F是意法半导体采用先进的单晶片VIPower M0-9 MOSFET工艺并集成STi2Fuse技术的新系列功率开关的首款产品，STi2Fuse产品基于I2t(current squared through time-to-fuse)技术，检测到过流，支持100?s 内做出快速响应并关断MOSFET功率开关管。

　　纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业的低导通电阻（20至55mΩ）相结合，并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的快开关速度、效率和更高功率密度特性进行了专项优化。
这些模块可提供完善的输入欠压、输出过流、过压和短路保护功能，并具有较高的 MTBF 值——根据 MILHBK-217-F，在 25°C 时长达 150 万小时。它们非常适合关注低成本和高功率密度，但对性能或可靠性要求较高的应用。典型应用包括智能楼宇/智能家居、数据通信/电信、能源系统、工业自动化以及测试和测量等。
ti　　这款器件边绕线圈的直流内阻（DCR）低至1.1mΩ，极大限度减少损耗，有助于改善额定电流性能，提高效率。与铁氧体解决方案相比，IHDF-1300AE-1A额定电流提高75%。器件采用超薄封装，便于设计师满足AEC-Q200标准严格的机械冲击和振动要求，同时降低基板高度，节省空间。
　　今天发布的VL53L9是一款新推出的直接ToF 3D激光雷达芯片，分辨率高达2300个检测区。这款LiDAR雷达集成的双扫描泛光照明在市场上，可以检测小物体和边缘，并捕获2D红外(IR)图像和3D深度图信息。这是一款直接可用的低功耗模块，具有片上dToF处理功能，无需额外的外部组件或校准过程。此外，这款芯片测距范围在5厘米到10米之间。
　　推出的ITV2718尺寸为2.7 x 1.8mm，提供5安培、三端子保险丝。 这种创新设计可利用嵌入式保险丝和加热器元件组合快速做出反应，在过充或过热情况发生之前中断电池组的充电或放电电路。

在环境光条件下 (5 klx)，用户还可通过特殊设置实现上限为800mm的距离测量。该传感器具有高达100Hz的快速测距频率，采用微型回流焊封装，是VL53L4CD的直接衍生产品，与其引脚完全兼容。与所有基于STMicroelectronics FlightSense?技术的飞行时间传感器一样，无论目标的颜色和反射率如何，VL53L4ED都能记录距离测量值。
ti　　随着汽车原始设备制造商不断增加和优化车道偏离警告、防撞和自适应巡航控制等ADAS功能，汽车的物料清单（BOM）也在不断增加。电动汽车（EV）、混合动力汽车和传统油车皆是如此。与此同时，汽车制造商也在努力提高自动驾驶功能，而这意味着需要更多更复杂的电子元器件。管理所有这些新型电子子系统的电子控制单元（ECU）尤其容易受到静电放电损害，因为对于安全关键ADAS和自动驾驶功能而言，即便是极其短暂的中断也是不可接受的。
　　在与英飞凌的CoolMOS S7开关配合使用时，这些隔离式驱动器实现的开关设计，其电阻远低于光驱动固态解决方案。这能够延长系统设计的寿命并降低成本。与所有固态隔离器一样，这些半导体器件的性能同样优于电磁继电器，例如降低40%的功耗、以及摒除机械组件以实现更高的可靠性等。
　　除了体积小巧，nRF9151 还增加了Class 5 20dBm输出功率支持，补充了标称Class 3 23dBm输出功率。这项改进简化了对电池供电产品的要求，为开发人员提供了更大灵活性。